laser a semiconduttore
Смотреть больше слов в «Русско-итальянском политехническом словаре»
полупроводниковый квантовый генератор, Лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. тип... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие... смотреть
лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешён... смотреть
лазер, в к-ром активной средой служат полупроводники (арсенид галлия GaAs, сульфид кадмия CdS, сульфид свинца PbS и др.) или их сплавы [(Ga, Al)As, GaA... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0, 3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.<br><br><br>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ лазер - лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.<br>... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР , лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.... смотреть
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР, лазер, активная среда которого - полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекция носителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связи и локации, оптоэлектронике и др.... смотреть
- лазер, активная среда которого -полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры(50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральнойперестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длинволн 0,3-30 мкм. Наиболее распространенный способ накачки - инжекцияносителей через гетеропереход (гетеролазер). Применяют в оптической связии локации, оптоэлектронике и др.... смотреть
лазер, активная среда к-рого - полупроводн. кристалл. П. л. имеет малые размеры (длина резонатора 50 мкм - 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спе... смотреть
semiconductor laser, photogenerator* * *semiconductor laser
semiconductor laser, junction laser, diode laser
photogenerator, diode laser, junction laser, semiconductor laser
laser semi-conducteur
semiconductor laser
Halbleiterlaser
Halbleiterlaser
diode laser, semiconductor laser
жартылай (шала) өткізгіш лазер
напівпровіднико́вий ла́зер
жартылайөткізгіштік лазер
laser à semi-conducteur
• polovodičový laser
Halbleiterlaser
transversely pumped semiconductor laser
longitudinally pumped semiconductor laser